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Ateliers de réparations collaboratifs 

 

 

 

Electroniques

Les composants
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rcb 31rcf 31

  • La diode zener permet au courant électrique de passer dans les deux sens (de A vers K, c’est-à-dire de l’anode vers la cathode, et dans le sens inverse). De A vers K la diode zener se comporte comme une diode (résistance progressivement croissante autour de la tension seuil environ égale à 0,6V) et dans le sens inverse, présente un comportement dit de claquage qui tend à avoir une résistance nulle au passage du courant autour d’une tension dite de claquage.
  • La diode zener comprend un corps Cr généralement rouge qui présente une bande qui permet de situer la cathode K, l’anode A étant à l’opposé.
  • Pour la tester précisément, on la dessoude du circuit électrique, on relie son anode A et sa cathode K respectivement aux bornes A et K d’un LCR-mètre et on appui sur le bouton Bt. On vérifie que le LCR-mètre présente à l’écran une architecture de diode zener (le LCR-mètre indique également la tension de claquage). NB : on vérifie aussi que les caractéristiques fournies par le LCR-mètre correspondent à la fiche technique de la diode zener. On peut également la tester au multimètre. Pour cela on la dessoude du circuit électrique dans lequel elle est située, on place le multimètre en mode test de diode. Une diode est considérée comme défaillante si elle n'est pas passante avec un test de diode dans le sens ou elle a un comportement de diode.
  • Pour la tester rapidement en circuit, au multimètre, on vérifie hors tension qu’elle ne présente pas entre ses bornes A et K, dans les deux sens de mesure, une valeur de résistance nulle
  • Pour permettre au courant électrique de passer dans le sens où elle a un comportement de diode et dans le sens inverse autour de la tension de claquage, la diode zener comprend comme une diode un matériau semi conducteur dans lequel sont insérés dans une première zone des atomes de type P et dans une deuxième zone des atomes de type N (on parle de dopage). Les zones N et P d’une diode zener étant fortement dopées vis-à-vis d’une diode (plus d’électrons P et N insérés), ce qui permet en sens inverse d’avoir un phénomène de claquage (possibilité à un courant de passer lorsque la tension aux bornes de la diode zener dépasse une tension prédéterminée sans endommager la diode).
  • Lorsqu’on ferme Sw1 et ouvre Sw2, le courant circule de A1 vers K1 et allume la lampe Lp (si la tension est supérieure à Useuil le courant peut circuler plus fortement). Dans le deuxième cas, lorsqu’on ouvre Sw1 et ferme Sw2, si l’intensité est supérieure à Uz (tension de claquage), le courant circule de la borne K2 vers la borne A2 et allume la lampe Lp.

  • Polarisation
    La diode zener est polarisée (pas la même résistance au courant dans les deux sens) donc attention le sens de montage est unique. La cathode est généralement repérée par une bague.

 

 

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  • Le transistor IGBT présente une structure équivalente à l’association d’un transistor MOSFET avec deux transistors bipolaires et deux résistances. Le transistor IGBT conserve les caractéristiques d’un MOSFET en étant commandé par une tension délivrée au niveau de sa grille G et sa structure lui permet de gérer une tension plus importante que le MOSFET.
  • Le transistor IGBT comprend un corps avec trois bornes G, C et E (vérifiez l’agencement de ces trois bornes à partir des inscriptions sur sont corps).
  • Pour le tester précisément, on le dessoude du circuit électrique, on recherche sa fiche technique sur internet à partir des inscriptions sur son corps puis on vérifie avec un LCR-mètre d'une part, en branchant ses bornes G, C et E respectivement sur les ports 1, 2 et 3 avoir une architecture de transistor IGBT avec un MOSFET et deux transistors bipolaires et d'autre part, que les caractéristiques affichées par le LCR-mètre sont conformes à la fiche technique.
    Sans LCR-mètre, on peut tester le transistor IGBT au multimètre.
  • Pour cela, on place la borne COM sur E et la borne VAC sur C. Il ne doit pas y avoir de continuité entre E et C. Ensuite, on laisse la borne COM sur E puis on place la borne VAC sur G puis sur C. Il doit désormais avoir une continuité entre E et C. Puis on met un doigt à la fois sur C et E, on place la borne COM sur E et la borne VAC sur C et on vérifie qu’il n’y a plus de continuité entre E et C. Si l’ensemble de ces tests est concluant l’IGBT est bon.
  • Pour le tester rapidement en circuit, on vérifie au multimètre hors tension qu’il n’est pas passant avec une résistance nulle dans les deux sens entre E, G, entre G, C et entre E, C.
  • Pour avoir une structure équivalente à cette association, le transistor IGBT présente un agencement de couches P et N comme ci-contre.
  • Lorsqu’une tension de commande prédéterminée est appliquée à la grille G, les deux bornes du collecteur E sont reliées entre elles de façon équivalente à un MOSFET. Ensuite, cette liaison une fois réalisée permet qu’une alimentation en courant au collecteur C puisse circuler jusqu’aux bornes de l’émetteur E.

  • Polarisation
    Le transistor IGBT comprend trois bornes (la grille, le collecteur et l’émetteur). Attention donc au sens de montage

 

transistors igbt 
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  • La varistance est un composant de protection qui protège des surtensions. Isolante à faible tension (très forte résistance), elle devient conductrice (très faible résistance) quand la tension dépasse sa valeur nominale (typiquement 320 V Ac pour un appareil branché sur le 220 V). Au-delà de sa tension nominale, cette valeur de résistance tend très rapidement (en moins d'une microseconde) vers une valeur très faible (phénomène d’avalanche).
  • La varistance comprend un corps et deux bornes d'extrémité B1 et B2.
  • Pour la tester précisément, on dessoude ce composant de sa carte électronique et hors tension on vérifie au multimètre par un test de résistance que ce composant ne présente une résistance ni nulle ni infinie entre ses deux bornes B1 et B2 (la résistance mesurée doit être dans les MΩ)
    NB : En cas de surtension importante la varistance limite la tension puis explose par excès d’énergie absorbée. Le reste du circuit électronique en aval de l’alimentation électrique est ainsi protégé.
  • Pour la tester rapidement en circuit, hors tension on réalise au multimètre un test de résistance entre les bornes B1 et B2 et on vérifie ne pas avoir une résistance nulle ou infinie entre ces deux bornes
  • Pour permettre une résistance importante à faible tension et une faible résistance à haute tension, la varistance comprend des grains d’oxyde métalliques disposés entre deux électrodes métalliques Pl1 et Pl2, le tout noyé dans une couche de céramique.
  • Lorsqu’une tension inférieure à la tension nominale de la varistance est appliquée entre les bornes B1 et B2, la structure granuleuse induit une forte résistance au courant électrique entre les électrodes Pl1 et Pl2. Lorsque la tension appliquée entre les bornes B1 et B2 dépasse le seuil nominal, l’architecture des grains est modifiée et facilite la conduction du courant entre les plaques Pl1 et Pl2, ce qui peut conduire à l’échauffement, voire la combustion ou l'explosion de la varistance.

  • Polarisation
    La varistance n'est pas polarisée donc le sens de montage est indifférent (peut être montée dans les deux sens). 

 

varistances 2
 
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  • La thermistance est une résistance électrique dont la valeur varie en fonction de la température (CTN Coefficient en Température Négatif, la valeur baisse avec la t° - CTP Coefficient en Température Positif, la valeur augmente avec la t°). Généralement, à température ambiante ce composant présente une valeur de résistance électrique qui peut varier lorsqu’on le pince entre ses doigts.
  • La thermistance comprend un corps et deux bornes d'extrémité B1 et B2.
  • Pour la tester précisément, on dessoude ce composant de sa carte électronique et hors tension on vérifie au multimètre que ce composant ne présente pas une résistance nulle ou infinie entre ses deux bornes B1 et B2.
    NB : on peut également vérifier que la résistance de ce composant varie lorsqu'on le chauffe (une de ses bornes B1 ou B2) ou par exemple lorsqu’on le pince (le composant) entre le pouce et l’index
  • Pour la tester rapidement en circuit, hors tension on réalise au multimètre un test de résistance entre les bornes B1 et B2 et on vérifie ne pas avoir une résistance nulle ou infinie entre ces deux bornes
  • Pour permettre une variation de résistance en fonction de la température, la thermistance comprend un matériau qui s’étend entre les bornes B1 et B2 dont la conductivité varie en fonction de la température.
  • Dans le cas d’une thermistance de type CTN, en alimentant la borne B1 d’une thermistance avec une tension prédéterminée, on obtient à la borne B2 un faible courant lorsque la thermistance n’est pas chauffée comparé à un courant relativement plus fort lorsque la thermistance est chauffée (et inversement pour une thermistance de type CTP).

  • Polarisation
    La thermistance n'est pas polarisée donc le sens de montage est indifférent (peut être montée dans les deux sens). 

 

 thermistances
  1. RCB 27 : La diode électroluminescente
  2. RCB 26 : Le triac
  3. RCB 25 : Le thyristor
  4. RCB 24 : Le transistor MOSFET

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