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Ateliers de réparations collaboratifs 

 

 

 

Electroniques

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  • Le transistor IGBT présente une structure équivalente à l’association d’un transistor MOSFET avec deux transistors bipolaires et deux résistances. Le transistor IGBT conserve les caractéristiques d’un MOSFET en étant commandé par une tension délivrée au niveau de sa grille G et sa structure lui permet de gérer une tension plus importante que le MOSFET.
  • Le transistor IGBT comprend un corps avec trois bornes G, C et E (vérifiez l’agencement de ces trois bornes à partir des inscriptions sur sont corps).
  • Pour le tester précisément, on le dessoude du circuit électrique, on recherche sa fiche technique sur internet à partir des inscriptions sur son corps puis on vérifie avec un LCR-mètre d'une part, en branchant ses bornes G, C et E respectivement sur les ports 1, 2 et 3 avoir une architecture de transistor IGBT avec un MOSFET et deux transistors bipolaires et d'autre part, que les caractéristiques affichées par le LCR-mètre sont conformes à la fiche technique.
    Sans LCR-mètre, on peut tester le transistor IGBT au multimètre.
  • Pour cela, on place la borne COM sur E et la borne VAC sur C. Il ne doit pas y avoir de continuité entre E et C. Ensuite, on laisse la borne COM sur E puis on place la borne VAC sur G puis sur C. Il doit désormais avoir une continuité entre E et C. Puis on met un doigt à la fois sur C et E, on place la borne COM sur E et la borne VAC sur C et on vérifie qu’il n’y a plus de continuité entre E et C. Si l’ensemble de ces tests est concluant l’IGBT est bon.
  • Pour le tester rapidement en circuit, on vérifie au multimètre hors tension qu’il n’est pas passant avec une résistance nulle dans les deux sens entre E, G, entre G, C et entre E, C.
  • Pour avoir une structure équivalente à cette association, le transistor IGBT présente un agencement de couches P et N comme ci-contre.
  • Lorsqu’une tension de commande prédéterminée est appliquée à la grille G, les deux bornes du collecteur E sont reliées entre elles de façon équivalente à un MOSFET. Ensuite, cette liaison une fois réalisée permet qu’une alimentation en courant au collecteur C puisse circuler jusqu’aux bornes de l’émetteur E.
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  • La varistance est une résistance électrique fortement non linéaire. Généralement, à faible tension ce composant présente une valeur de résistance importante (de l'ordre du kΩ) et au-delà de sa tension d’utilisation, cette valeur de résistance tend très rapidement vers une valeur nulle qui provoque un court-circuit. C'est un composant passif qui protège contre les surtensions
  • La varistance comprend un corps et deux bornes d'extrémité B1 et B2.
  • Pour la tester précisément, on dessoude ce composant de sa carte électronique et hors tension on vérifie au multimètre par un test de résistance que ce composant ni ne présente une résistance nulle, ni ne présente une résistance infini entre ses deux bornes B1 et B2.
    NB : En cas de surtension importante la varistance limite la tension puis explose par excès d’énergie absorbée. Le reste du circuit électronique en aval de l’alimentation électrique est ainsi protégé.
  • Pour la tester rapidement en circuit, hors tension on réalise au multimètre un test de résistance entre les bornes B1 et B2 et on vérifie ne pas avoir une résistance nulle ou infinie entre ces deux bornes
  • Pour permettre une résistance importante à faible tension et une faible résistance à haute tension, la varistance comprend des grains d’oxyde métalliques disposés entre deux électrodes métalliques Pl1 et Pl2 en étant noyés dans une couche de céramique.
  • Lorsqu’une faible tension est alimentée entre les bornes B1 et B2, la structure à grains de la varistance induit une forte résistance à faire transiter le courant entre les électrodes Pl1 et Pl2. Lorsque la tension appliquée entre les bornes B1 et B2 est importante, l’architecture des grains est modifiée et facilite la conduction du courant entre les plaques Pl1 et Pl2, ce qui peut conduire à l’échauffement voir la combustion de la varistance.
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  • La thermistance est une résistance électrique dont la valeur varie en fonction de la température (CTN Coefficient en Température Négatif, la valeur baisse avec la t° - CTP Coefficient en Température Positif, la valeur augmente avec la t°). Généralement, à température ambiante ce composant présente une valeur de résistance électrique qui peut varier lorsqu’on pince une de ses borne avec les doigts.
  • La thermistance comprend un corps et deux bornes d'extrémité B1 et B2.
  • Pour la tester précisément, on dessoude ce composant de sa carte électronique et hors tension on vérifie au multimètre que ce composant ne présente pas une résistance nulle ou infinie entre ses deux bornes B1 et B2.
    NB : on peut également vérifier que la résistance de ce composant varie lorsqu'on chauffe une de ses bornes B1 ou B2 par exemple lorsqu’on pince le composant entre le pouce et l’index
  • Pour la tester rapidement en circuit, hors tension on réalise au multimètre un test de résistance entre les bornes B1 et B2 et on vérifie ne pas avoir une résistance nulle ou infinie entre ces deux bornes
  • Pour permettre une variation de résistance en fonction de la température, la thermistance comprend un matériau qui s’étend entre les bornes B1 et B2 dont la conductivité varie en fonction de la température.
  • Dans le cas d’une thermistance de type CTN, en alimentant la borne B1 d’une thermistance avec une tension prédéterminée, on obtient à la borne B2 un faible courant lorsque la thermistance n’est pas chauffée comparé à un courant relativement plus fort lorsque la thermistance est chauffée (et inversement pour une thermistance de type CTP).
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  • La diode électroluminescente (DEL en français ou LED en anglais) laisse passer le courant électrique uniquement de la borne B1 vers la borne B2 (elle bloque le courant électrique de B2 vers B1), c’est-à-dire de l’anode vers la cathode, et elle émet de la lumière lorsque le courant passe de B1 vers B2.
  • La DEL comprend un corps Cr transparent pour diffuser la lumière vers l’extérieur.
  • Pour la tester précisément, on la dessoude du circuit électrique et en branchant ses bornes B1 et B2 respectivement sur les ports 1 et 2 on vérifie avec un LCR-mètre avoir une architecture de diode.
    Sans LCR-mètre, on peut tester la DEL au multimètre. Pour cela, on la dessoude du circuit électrique dans lequel elle est située, on place le multimètre en mode test de diode. Une DEL est considérée comme défaillante si la DEL n’est pas passante dans le sens prévu B2 vers B1 ou si elle n'est pas bloquante dans le sens inverse.
    NB : Les DEL émettent des lumières de couleurs différentes selon les modèles, pour celles qui émettent en infrarouge il suffit de les alimenter et de placer un téléphone en mode photo devant la diode électroluminescente et observer si celle-ci s’allume. On peut alternativement vérifier recevoir un signal infrarouge avec le LCR-mètre au niveau du récepteur IR (voir ci-contre).
  • Pour la tester rapidement en circuit, au multimètre, on vérifie hors tension qu’elle ne présente pas entre ses bornes B1 et B2, dans les deux sens de mesure, une valeur de résistance infinie ou nulle
  • Pour permettre d’émettre de la lumière à travers le corps Cr transparent lorsque le courant passe de l’anode B1 à la cathode B2, l’anode B1 est reliée via un fil W à une diode D posée sur la cathode B2.
  • Lorsque le courant passe de l’anode B1 à la cathode B2, des électrons sont poussés dans la diode D à passer de la couche dopée N, négativement chargée, vers la couche P, positivement chargée. Lors de se passage, des électrons de la couche N viennent se mettre dans des trous pour électrons de la couche dopée P. Pour se mettre dans un trou l’électron utilise de l’énergie ce qui génère de la lumière diffusée à travers le corps Cr transparent.
  1. RCB 26 : Le triac
  2. RCB 25 : Le thyristor
  3. RCB 24 : Le transistor MOSFET
  4. RCB 23 : Le transistor bipolaire NPN

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