ACADEMIE REPAIR CAFE PARIS

Ateliers de réparations collaboratifs 

 

 

 

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RCB 28 : Le transistor IGBT

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  • Le transistor IGBT présente une structure équivalente à l’association d’un transistor MOSFET avec deux transistors bipolaires et deux résistances. Le transistor IGBT conserve les caractéristiques d’un MOSFET en étant commandé par une tension délivrée au niveau de sa grille G et sa structure lui permet de gérer une tension plus importante que le MOSFET.
  • Le transistor IGBT comprend un corps avec trois bornes G, C et E (vérifiez l’agencement de ces trois bornes à partir des inscriptions sur sont corps).
  • Pour le tester précisément, on le dessoude du circuit électrique, on recherche sa fiche technique sur internet à partir des inscriptions sur son corps puis on vérifie avec un LCR-mètre d'une part, en branchant ses bornes G, C et E respectivement sur les ports 1, 2 et 3 avoir une architecture de transistor IGBT avec un MOSFET et deux transistors bipolaires et d'autre part, que les caractéristiques affichées par le LCR-mètre sont conformes à la fiche technique.
    Sans LCR-mètre, on peut tester le transistor IGBT au multimètre.
  • Pour cela, on place la borne COM sur E et la borne VAC sur C. Il ne doit pas y avoir de continuité entre E et C. Ensuite, on laisse la borne COM sur E puis on place la borne VAC sur G puis sur C. Il doit désormais avoir une continuité entre E et C. Puis on met un doigt à la fois sur C et E, on place la borne COM sur E et la borne VAC sur C et on vérifie qu’il n’y a plus de continuité entre E et C. Si l’ensemble de ces tests est concluant l’IGBT est bon.
  • Pour le tester rapidement en circuit, on vérifie au multimètre hors tension qu’il n’est pas passant avec une résistance nulle dans les deux sens entre E, G, entre G, C et entre E, C.
  • Pour avoir une structure équivalente à cette association, le transistor IGBT présente un agencement de couches P et N comme ci-contre.
  • Lorsqu’une tension de commande prédéterminée est appliquée à la grille G, les deux bornes du collecteur E sont reliées entre elles de façon équivalente à un MOSFET. Ensuite, cette liaison une fois réalisée permet qu’une alimentation en courant au collecteur C puisse circuler jusqu’aux bornes de l’émetteur E.

  • Polarisation
    Le transistor IGBT comprend trois bornes (la grille, le collecteur et l’émetteur). Attention donc au sens de montage

 

transistors igbt